9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFB72N55Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFB72N55Q2参考价格为7.364美元。IXYS IXFB72N55Q2封装/规格：MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264。您可以下载IXFB72N55Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFB60N80P是MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264，包括HiPerFET？，PolarHT？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为硅技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有1个通道数，供应商设备包为PLUS264？，配置为单，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为1250W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为18000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs为140mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为250nC@10V，Pd功耗为1.25 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为250nC，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
IXFB70N60Q2是MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFB70N60系列，上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为80 mOhms，Pd功耗为890W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFB62N80Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A，包括单一配置，它们设计为以62A Id连续漏电流运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1个通道，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该装置也可以用作1.56kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为270 nC，器件的漏极-源极电阻为140 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFB62N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
