9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH12N120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH12N120参考价格$1.716。IXYS IXFH12N120封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD。您可以下载IXFH12N120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH12N100P是MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247，包括IXFH12N200P系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为463W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.05欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型导通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为80nC，正向跨导最小值为4.8S，并且信道模式是增强。
IXFH12N100F是由IXYS制造的MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD。IXFH12N100F采用TO-3P-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD、N沟道1000V 12A（Tc）300W（Tc）通孔TO-247D（IXFH）、Trans-MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin（3+Tab）TO-247OD。
IXFH12N100Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD。IXFH12N100Q在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD、Trans MOSFET N-CH1KV 12A 3-Pin（3+Tab）TO-247D。
