9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH13N80Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH13N80Q参考价格为2.126美元。IXYS IXFH13N80Q封装/规格：MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD。您可以下载IXFH13N80Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFH13N80Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFH13N80是MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为4200pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），最大Id Vgs的Rds为800mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为155nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为14S，并且信道模式是增强。
IXFH13N100是MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH13N100系列，上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为900 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12.5 A，下降时间为32 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH13N50是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD。IXFH13N50在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD、N沟道500V 13A（Tc）180W（Tc）通孔TO-247D（IXFH）、Trans MOSFET N-CH-Si 500V 13A 3-Pin（3+Tab）TO-247OD。
