9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH26N55Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH26N55Q参考价格为2.652美元。IXYS IXFH26N55Q封装/规格：MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD。您可以下载IXFH26N55Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH26N50P是MOSFET N-CH 500V 26A TO-247，包括HiPerFET？，PolarHT？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商设备包为TO-247AD（IXFH），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为400W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为3600pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为26A（Tc），最大Id Vgs的Rds为230 mOhm@13A，10V，Vgs最大Id为5.5V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为400 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为230mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为26S，并且信道模式是增强。
IXFH26N50Q是MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD，包括4.5V@4mA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为28 ns，以及55 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有技术Si，供应商器件包为TO-247AD（IXFH），系列为HiPerFET？，上升时间为30 ns，Rds On Max Id Vgs为200 mOhm@13A，10V，Rds On Drain Source Resistance为200 mOhms，功率最大值为300W，Pd功耗为300 W，包装为管，包装箱为TO-247-3，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为3900pF@25V，Id连续漏极电流为26 A，栅极电荷Qg-Vgs为95nC@10V，正向跨导Min为24 S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为16ns，漏极到源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为26A（Tc），配置为单一，通道模式为增强型。
IXFH26N50P3是MOSFET N-CH 500V 26A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为在5 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了14 S中使用的最小正向跨导，提供了连续漏电流特性，如26 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为500W，Qg栅极电荷为42nC，Rds漏极源极电阻为240mOhm，上升时间为7ns，系列为IXFH26N50，技术为Si，商品名为Polar3 HiPerFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为5V。
