9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH66N20Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH66N20Q价格参考1.056美元。IXYS IXFH66N20Q封装/规格：MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD。您可以下载IXFH66N20Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH60N50P3是MOSFET N-CH 500V 60A TO247，包括HiPerFET？，Polar3？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为6250pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为5V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为96nC@10V，Pd功耗为1040W，下降时间为8 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第栅极-源极阈值电压为5V，Rds漏极源极电阻为100mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为96nC，正向跨导最小值为60S 35S。
带有用户指南的IXFH60N65X2，包括2.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为37 ns，以及50 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HiPerFET，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为40纳秒，漏极-源极电阻Rds为52毫欧，Qg栅极电荷为107 nC，Pd功耗为780 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为60 A，正向跨导最小值为29 S，下降时间为12 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH60N60，电路图由IXYS制造。IXFH60N60采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
