9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK120N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK120N25参考价格为0.498美元。IXYS IXFK120N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA。您可以下载IXFK120N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK120N20P是MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds，包括IXFK120N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为152nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXFK120N20是MOSFET 200V 120A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK120N20系列，上升时间为65 ns，漏极电阻Rds为17 mOhms，Pd功耗为560 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为120 A，正向跨导最小值为77 S，下降时间为35 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFK110N07是MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了60纳秒的下降时间，提供了正向跨导最小特性，如80 S，Id连续漏电流设计为在110 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，设备提供1个通道数量的通道，设备具有TO-264-3封装盒，封装为管，Pd功耗为500 W，漏极电阻Rds为6 mOhms，上升时间为60 ns，系列为IXFK110N07，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Vgs栅极-源极电压为20V。
