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IXFK140N30P是MOSFET N-CH 300V 140A TO-264，包括HiPerFET？，PolarP2？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为300V，输入电容Cis-Vds为14800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为140A（Tc），最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@70A，10V，Vgs的最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为185nC@10V，Pd功耗为1040W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为30s，沟道模式为增强。
IXFK140N25T是MOSFET N-CH 250V 140A TO264，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于250 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以GigaMOS商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXFK140N25，上升时间为29 ns，漏极-源极电阻Rds为17 mOhm，Qg栅极电荷为255 nC，Pd功耗为960 W，封装为管，封装外壳为TO-264-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为140 A，正向跨导最小值为80 S，下降时间为22 ns，信道模式为增强型。
IXFK150N10是MOSFET 150 Amps 100V，包括150 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-264AA-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及12 mOhms Rds漏极源电阻，该装置也可以用作IXFK150N10系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.352740盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100 V。
