9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK150N15P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK150N15P参考价格为5.436美元。IXYS IXFK150N15P封装/规格：MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA。您可以下载IXFK150N15P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK140N30P是MOSFET N-CH 300V 140A TO-264，包括HiPerFET？，PolarP2？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为300V，输入电容Cis-Vds为14800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为140A（Tc），最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@70A，10V，Vgs的最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为185nC@10V，Pd功耗为1040W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为30s，沟道模式为增强。
IXFK150N15是MOSFET 150安培150V 0.0125 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计用于110 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK150N15系列，上升时间为60纳秒，漏极源极电阻Rds为12.5毫欧，Pd功耗为560瓦，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为150 A，下降时间为45 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK150N10是MOSFET 150 Amps 100V，包括150 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-264AA-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及12 mOhms Rds漏极源电阻，该装置也可以用作IXFK150N10系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.352740盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100 V。
