9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK15N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK15N100Q参考价格为3.012美元。IXYS IXFK15N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA。您可以下载IXFK15N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK150N15是MOSFET 150安培150V 0.0125 Rds，包括IXFK150N 15系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为150A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-电源电阻为12.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为50ns，沟道模式为增强。
IXFK150N15P是MOSFET 170安培150V 0.013 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK150N15系列，上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为13 mOhms，Pd功耗为714W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为150 A，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK150N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET，带快速二极管，包括150 A Id的连续漏电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1沟道的沟道数量，该沟道提供to-264-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及19 mOhms Rds漏源电阻，该装置也可以用作IXFK150N30系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.264555盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
