IXFK16N90Q
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥186.84509
-
数量:
- +
- 总计: ¥186.85
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）
- 包装/外壳 至264-3，至264AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
- 供应商设备包装 TO-264AA (IXFK)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 170 nC@10 V
- 最大功耗 360W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4000 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 650毫欧姆 @ 8A, 10V
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥138.04967 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.86961 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.98166 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.49538 |
IXFK16N90Q所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFK16N90Q 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFK16N90Q价格参考￥186.845091，你可以下载 IXFK16N90Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFK16N90Q规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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