9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK24N90Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK24N90Q参考价格为3.168美元。IXYS IXFK24N90Q封装/规格：MOSFET N-CH 900V 24A TO264AA。您可以下载IXFK24N90Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK24N100是MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为560W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为8700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为24A（Tc），最大Id Vgs的Rds为390 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为5.5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为267nC@10V，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为35s，正向跨导最小值为22S，并且信道模式是增强。
IXFK24N80P是MOSFET 24安培800V 0.4 Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为32 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFK24N80，上升时间为27ns，漏极电阻Rds为400mOhm，Qg栅极电荷为105nC，Pd功耗为650W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为24A，正向跨导最小值为15S，下降时间为24ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK24N100Q3是MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264，包括单一配置，它们设计为在24 a Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装外壳设计用于TO-264-3，以及管封装，该装置也可以用作1kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为140 nC，器件的漏极-源极电阻为440 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFK24N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
