9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN73N30Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN73N30Q参考价格为3.312美元。IXYS IXFN73N30Q封装/规格：MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B。您可以下载IXFN73N30Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN70N60Q2是MOSFET 70安培600V，包括IXFN70N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为890 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为26ns，沟道模式为增强。
IXFN72N55Q2是MOSFET 72安培550 V 0.07 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于550 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为58 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFN72N55系列，上升时间为23ns，漏极电阻Rds为72mOhms，Pd功耗为890W，封装为Tube，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为72 A，下降时间为10 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFN73N30，电路图由IXYS制造。IXFN73N30以模块封装形式提供，是模块的一部分，N通道300V 73A（Tc）500W（Tc）底盘安装SOT-227B，MOSFET 300V 73B。
