9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR16N80P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR16N80P参考价格为0.958美元。IXYS IXFR16N80P封装/规格：MOSFET N-CH ISOPLUS247。您可以下载IXFR16N80P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFR16N80P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFR16N120P是MOSFET 16安培1200V 1 Rds，包括IXFR16N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为230 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Rds导通漏极-电源电阻为1.04欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IXFR15N80Q是MOSFET 13安培800V 0.6 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为53 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR15N80系列，上升时间为27纳秒，漏极上的Rds源极电阻为600毫欧，Pd功耗为250瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR15N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A，包括单一配置，它们设计为以10 a Id连续漏电流运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作400W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为64nC，器件提供1.2欧姆Rds漏极-源极电阻，器件具有250ns的上升时间，系列为IXFR15N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.056438oz，Vds漏极源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
