9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD42N03-3M9P-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD42N03-3M9P-GE3参考价格为9.502美元。Vishay Siliconix SUD42N03-3M9P-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 42A TO252。您可以下载SUD42N03-3M9P-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD40N10-25-E3是MOSFET N-CH 100V 40A TO252，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SUD40N10-25-T4-E3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司的晶体管，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作25毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为40 a，配置为单一。
SUD40N10-30，电路图由Vishay制造。SUD40N10-30采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
