9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFB30N120Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFB30N120Q2参考价格为1.14美元。IXYS IXFB30N120Q2封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264。您可以下载IXFB30N120Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFB30N120P是MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds，包括IXFB30N220P系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.25 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型导通延迟时间为57ns，Qg栅极电荷为310nC，正向跨导最小值为13S，并且信道模式是增强。
IXFB210N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET，带快速二极管，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300V，提供单位重量功能，如0.056438oz，典型开启延迟时间设计为46 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar3 HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFB210N30，上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为14.5 mOhms，Qg栅极电荷为268 nC，Pd功耗为1.89 kW，封装为Tube，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为210 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为13 ns，通道模式为增强型。
IXFB210N20P是MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds，包括单一配置，它们设计为在210 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供1.5 kW Pd功耗，器件具有10.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXFB210N20，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.056438 oz，Vds漏极源极击穿电压为200 V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFB300N10P是由IXYS制造的“MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V”。IXFB300N1 0P可在PLUS264封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET POLAR PWR FET 100V、N沟道100V 300A（Tc）1500W（Tc）通孔PLUS264”？，Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3引脚（3+Tab）PLUS 264，MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V，300A。
