9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE180N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE180N10价格参考2.72美元。IXYS IXFE180N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B。您可以下载IXFE180N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFB82N60P是MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds，包括IXFB82N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.25 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为82A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为240nC，正向跨导最小值为50S，并且信道模式是增强。
IXFB82N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFB82N60Q3，器件的上升时间为300纳秒，器件的漏极-源极电阻为75m欧姆，Qg栅极电荷为275nC，Pd功耗为1.56kW，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为82A，并且配置是单一的。
IXFC80N08是由IXYS制造的MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220。IXFC80N08在ISOPLUS220中提供™ 封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220、N沟道80V 80B（Tc）230W（Tc）通孔ISOPLUS20？。
