9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE180N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE180N20参考价格为5.172美元。IXYS IXFE180N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B。您可以下载IXFE180N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFB82N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A，包括IXFB82N80Q3系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.56 kW，上升时间为300 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为82 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Rds漏极源极电阻为75 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为275nC。
IXFC80N08是由IXYS制造的MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220。IXFC80N08在ISOPLUS220中提供™ 封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220、N沟道80V 80B（Tc）230W（Tc）通孔ISOPLUS20？。
IXFE180N10，电路图由IXYS制造。IXFE180N10以模块封装形式提供，是模块的一部分，N通道100V 176A（Tc）500W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 100V 176B 4引脚ISOPLUS 227。
