9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE39N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE39N90参考价格为8.73美元。IXYS IXFE39N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B。您可以下载IXFE39N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFE24N100是MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds，包括IXFE24N200系列，它们设计用于管式封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供HyperFET等商标功能，封装外壳设计用于ISOPLUS-27-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有500 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-电源电阻为390mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IXFE36N100是MOSFET 33安培1000V 0.24 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于81 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如150 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXFE36N100，器件的上升时间为82 ns，器件的漏极-源极电阻为240 mOhms，Pd功耗为580 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为33 A，下降时间为40 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFE34N100，电路图由IXYS制造。IXFE34N100以模块封装形式提供，是模块的一部分，N通道1000V 30A（Tc）580W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 1KV 30A 4引脚ISOPLUS 227。
