9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE44N50QD2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE44N50QD2参考价格为12.776美元。IXYS IXFE44N50QD2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B。您可以下载IXFE44N50QD2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFE39N90是MOSFET 34安培900V 0.22 Rds，包括IXFE39N90系列，它们设计用于管式封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供HyperFET等商标功能，封装盒设计用于ISOPLUS-27-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有580 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-40 C，下降时间为30 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为220mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为125ns，典型接通延迟时间为45ns，沟道模式为增强。
IXFE44N50Q是MOSFET 44安培500V 0.12 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如75 ns，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFE44N50Q系列，器件的上升时间为22 ns，漏极电阻Rds为120 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为39 A，下降时间为10 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXFE36N100是MOSFET 33安培1000V 0.24 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单双源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于40纳秒，提供Id连续漏电流功能，如33 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用ISOPLUS-27-4封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为580W，Rds漏极-源极电阻为240mOhms，上升时间为82ns，系列为IXFE36N100，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为81ns，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
