9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE48N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE48N50Q参考价格为7.034美元。IXYS IXFE48N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B。您可以下载IXFE48N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFE44N60是MOSFET 41安培600V 0.13 Rds，包括IXFE44N80系列，它们设计用于管式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供HyperFET等商品名功能，封装盒设计用于ISOPLUS-27-4以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有500 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为41A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为130mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为42ns，沟道模式为增强。
IXFE44N50QD2是MOSFET 44安培500V 0.12 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如75 ns，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXFE44N50QD2，器件的上升时间为22 ns，器件的漏极电阻为120 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为39 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFE44N50QD3是MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于10ns，提供Id连续漏极电流特性，如39 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用ISOPLUS-27-4封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，Rds漏极-源极电阻为120 mOhms，上升时间为22 ns，系列为IXFE44N50QD3，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为33ns，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
