9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE55N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE55N50参考价格$2.5。IXYS IXFE55N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B。您可以下载IXFE55N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFE48N50QD2是MOSFET 41安培500V 0.11 Rds，包括IXFE48N60QD2系列，它们设计用于管式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如ISOPLUS-27-4，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供400 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为41 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为33ns，沟道模式为增强。
IXFE48N50QD3是MOSFET 41安培500V 110 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如75 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXFE48N50QD3，器件的上升时间为22 ns，器件的漏极电阻为110 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为41 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFE50N50，电路图由IXYS制造。IXFE50N50在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道500V 47A（Tc）500W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 4引脚ISOPLUS 227。
