9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFE80N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFE80N50参考价格为6.858美元。IXYS IXFE80N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B。您可以下载IXFE80N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFE55N50是MOSFET 52安培500V 0.08 Rds，包括IXFE55N40系列，它们设计用于管式封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供HyperFET等商标功能，封装外壳设计用于ISOPLUS-27-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有500 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-40 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为47A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，沟道模式为增强。
IXFE73N30Q是MOSFET 66安培300V 0.046 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于37 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如82 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFE73N30Q系列，器件的上升时间为36 ns，漏极电阻Rds为46 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为66 A，下降时间为12 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFE50N50，电路图由IXYS制造。IXFE50N50在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道500V 47A（Tc）500W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 4引脚ISOPLUS 227。
