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IXFH100N25P是MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds，包括IXFH100N2 5P系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为185nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXFH10N100P是MOSFET 10 Amps 1000V，包括6.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为38 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH10N100P，上升时间为45ns，漏极-源极电阻Rds为1.4欧姆，Qg栅极电荷为56nC，Pd功耗为380W，封装为Tube，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为10A，正向跨导最小值为4.2 S，下降时间为75 ns，通道模式为增强型。
IXFH10N100是MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供正向跨导最小特性，如10 S，Id连续漏电流设计为在10 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为300 W，漏极电阻Rds为1.2欧姆，上升时间为33 ns，系列为IXFH10N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFG55N50是MOSFET 48安培500V 0.1 Rds，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFG55N40系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有90m欧姆的Rds漏极-源极电阻，上升时间为60ns，Vds漏极源极击穿电压为500V，Id连续漏极电流为48A，下降时间为45ns，典型开启延迟时间为45s，Pd功耗为400W，Vgs栅极-源极电压为20V，典型关断延迟时间为120ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.264555盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃。
