9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH14N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH14N100参考价格为3.074美元。IXYS IXFH14N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD。您可以下载IXFH14N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH13N80是MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为4200pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），最大Id Vgs的Rds为800mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为155nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为14S，并且信道模式是增强。
IXFH140N10P是MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds，包括5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为35 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH140N10，上升时间为50ns，漏极电阻Rds为11mOhm，Qg栅极电荷为155nC，Pd功耗为600W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为140 A，正向跨导最小值为45 S，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH13N80Q是MOSFET N-CH 800V 13A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了19纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如13 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为250W，漏极电阻Rds为700mOhms，上升时间为36ns，系列为IXFH13N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为23ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH13N90是MOSFET N-CH 900V 13A TO-247，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH13N90系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有900V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为800m欧姆，典型关断延迟时间为51ns，Pd功耗为300W，Vgs栅极-源极电压为20V，下降时间为18ns，典型接通延迟时间为18s，Id连续漏极电流为13A，上升时间为12ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
