9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH14N80，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH14N80参考价格为1.536美元。IXYS IXFH14N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD。您可以下载IXFH14N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH14N100Q2是MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为2800pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Tc），最大Id Vgs的Rds为950 mOhm@7A，10V，Vgs的最大Id为5.5V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为83nC@10V，Pd功耗为500W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型导通延迟时间为12ns，沟道模式为增强型。
IXFH14N60P是MOSFET 600V 14A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH14N60系列，上升时间为27纳秒，漏极电阻Rds为550毫欧，Pd功耗为300瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为14 A，正向跨导最小值为13 S，下降时间为26 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH14N60P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括14 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-247-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及540 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFH14N60系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600 V。
