9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH150N17T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH150N17T参考价格为0.778美元。IXYS IXFH150N17T封装/规格：MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD。您可以下载IXFH150N17T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如IXFH150N17T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如IXFH150N17T库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
IXFH150N15P是MOSFET N-CH 150V 150A TO-247，包括IXFH150N 15系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为150A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为55S，并且信道模式是增强。
IXFH14N80P是MOSFET N-CH 800V 14A TO-247，包括5.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为26 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH14N80，上升时间为29 ns，漏极源极电阻Rds为720 mOhm，Qg栅极电荷为61 nC，Pd功耗为400 W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为14A，正向跨导最小值为8S，下降时间为27ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH14N80是MOSFET N-CH 800V 14A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供Id连续漏极电流特性，如14 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为700 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXFH14N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
