9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH30N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH30N50Q参考价格为8.696美元。IXYS IXFH30N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD。您可以下载IXFH30N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH30N50P是MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD，包括IXFH30N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为460 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为24纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
IXFH30N40Q是MOSFET N-CH 400V 30A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于400 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH30N40系列，上升时间为35ns，Rds漏极源极电阻为160mOhms，Pd功耗为300W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH30N50，电路图由IXYS制造。IXFH30N50在模块封装中提供，是模块的一部分，N沟道500V 30A（Tc）360W（Tc）通孔TO-247AD（IXFH），Trans MOSFET N-CH Si 500V 30A 3引脚（3+Tab）TO-247D，MOSFET 30安培500V 0.16 Rds。
