9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH30N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH30N60Q参考价格为0.9美元。IXYS IXFH30N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD。您可以下载IXFH30N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH30N60P是MOSFET N-CH 600V 30A TO-247，包括IXFH30N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
IXFH30N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFH30N50，器件的上升时间为250纳秒，器件的漏极-源极电阻为200毫欧，Qg栅极电荷为62 nC，Pd功耗为690 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为30 a，并且配置是单一的。
IXFH30N60，电路图由IXYS制造。IXFH30N60在TO-247封装中提供，是FET的一部分-单个。
