9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH60N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH60N20参考价格$4.658。IXYS IXFH60N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD。您可以下载IXFH60N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH58N20是MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD，包括IXFH58N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强型。
IXFH58N20Q是MOSFET 200V 58A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于6500 g，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH58N20系列，上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为58 A，正向跨导最小值为34 S，下降时间为13 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH52N60Q，电路图由IXYS制造。IXFH52N60Q提供TO-247封装，是IC芯片的一部分。
