9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH80N06，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH80N06参考价格为12.26美元。IXYS IXFH80N06封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD。您可以下载IXFH80N06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH76N07-11是MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为360W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为4400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为76A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为11mOhm@40A，10V，Vgs最大Id为3.4V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为240nC@10V，Pd功耗为360W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为70ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为76A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型导通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFH76N07-12是MOSFET 70V 76A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在70 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为130 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH76N07系列，上升时间为70 ns，漏极电阻Rds为12 mOhms，Pd功耗为360 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为76 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为55 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH7N80是MOSFET 7安培800V，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了60纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.4欧姆，上升时间为40 ns，系列为IXFH7N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH7N90Q是MOSFET 7安培900V 1.5W Rds，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH7N90系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有900V的Vds漏极-源极击穿电压，Id连续漏极电流为7A，典型关断延迟时间为42ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Pd功耗为180W，上升时间为15ns，典型开启延迟时间为15s，下降时间为13纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
