9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH80N085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH80N085参考价格$7.044。IXYS IXFH80N085封装/规格：MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD。您可以下载IXFH80N085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH7N80是MOSFET 7安培800V，包括IXFH7N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为180 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-电源电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IXFH7N90Q是MOSFET 7安培900V 1.5W Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH7N90系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为1.5欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH80N08是由IXYS制造的MOSFET N-CH 80V 80A TO-247。IXFH80N08在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 80A TO-247、N沟道80V 80V（Tc）300W（Tc）通孔TO-247AD（IXFH）、Trans-MOSFET N-CH 80 V 80A 3引脚（3+Tab）TO-247D。
