9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP6A17N8TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A17N8TC参考价格为18.582美元。Diodes Incorporated ZXMP6A17N8TC封装/规格：MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO。您可以下载ZXMP6A17N8TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A17GTA是MOSFET P-CH 60V 3A SOT223，包括ZXMP6A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为637pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为125 mOhm@2.2A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17.7nC@10V，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11.3 ns，上升时间为3.4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-4.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为26.2ns，典型导通延迟时间为2.6ns，沟道模式为增强型。
ZXMP6A17KTC是MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.139332 oz，典型开启延迟时间设计为2.6 ns，以及26.2 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，系列为ZXMP6A，上升时间为3.4 ns，Rds On Max Id Vgs为125 mOhm@2.3A，10V，Rds On漏极-源极电阻为125 m欧姆，功率最大值为2.11W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为637pF@30V，Id连续漏极电流为6.6 A，栅极电荷Qg Vgs为17.7nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为11.3 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为4.4A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
ZXMP6A17GTAPBF，带有ZETEX制造的电路图。ZXMP6A17GTAPBF采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
