9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3A02N8TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A02N8TC参考价格为1.704美元。Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TC封装/规格:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO。您可以下载ZXMN3A02N8TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3A01ZTA是MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89,包括ZXMN3A系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004603盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于SOT-89-3以及Si技术,该设备也可用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有970 mW的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为3.6 ns,上升时间为4.1 ns,Id连续漏电流为3.3 a,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Vgs栅极-源极阈值电压为1V,Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为13.5ns,典型接通延迟时间为2.6ns,Qg栅极电荷为2.6nC,沟道模式为增强。
ZXMN3A02N8,带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN3A02N8在SOT23封装中提供,是FET的一部分-单个。
ZXMN3A02N8TA是ZETEX制造的MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC。ZXMN3A02N8TA采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC,N沟道30V 7.3A(Ta)1.56W(Ta)表面安装8-SO。