9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK24N100F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK24N100F参考价格$2.02。IXYS IXFK24N100F封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 24A TO264。您可以下载IXFK24N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK24N100是MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为560W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为8700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为24A（Tc），最大Id Vgs的Rds为390 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为5.5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为267nC@10V，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为35s，正向跨导最小值为22S，并且信道模式是增强。
IXFK230N20T是MOSFET N-CH 200V 230A TO-264，包括5V@8mA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于200 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为TO-264AA（IXFK），该设备采用GigaMOS？系列，该器件具有7.5mOhm@60A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为7.5mOhms，最大功率为1670W，Pd功耗为1.67kW，包装为管，包装箱为TO-264-3、TO-264AA，通道数为1个通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，输入电容Cis-Vds为28000pF@25V，Id连续漏极电流为230 A，栅极电荷Qg-Vgs为378nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C的电流连续漏极Id为230A（Tc），配置为单一。
IXFK220N17T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET，包括增强沟道模式，它们设计为在150 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于105 S的正向跨导最小值，提供了Id连续漏极电流功能，如220 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为1.25 kW，Qg栅极电荷为500 nC，Rds漏极源极电阻为6.3 mOhm，上升时间为160 ns，系列为IXFK220N17，技术为Si，商品名为GigaMOS HiperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为44ns，单位重量为0.264555oz，Vds漏极-源极击穿电压为170V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅源极阈值电压为5V。
IXFK240N15T2是由IXYS制造的栅极驱动器GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET。IXFK240N15T2在TO-264封装中提供，是PMIC-栅极驱动器的一部分，并支持栅极驱动器GigaMOS沟槽T2 HiperFET PWR MOSFET、N沟道150V 240A（Tc）1250W（Tc）通孔TO-264AA（IXFK）、Trans MOSFET N-CH 150V 240A3-Pin（3+Tab）TO-264。
