9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN24N100F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN24N100F参考价格$4.016。IXYS IXFN24N100F封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B。您可以下载IXFN24N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFN24N100F价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFN24N100是MOSFET 1KV 24A，包括IXFN24N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为568W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
IXFN23N100是MOSFET 23安培1000V 0.43 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFN23N100系列，上升时间为35ns，Rds漏极源极电阻为390mOhms，Pd功耗为568W，封装为Tube，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为21 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFN240N15T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET，包括增强通道模式，它们设计为在145 ns的下降时间下工作，数据表说明中显示了125 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如240 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，封装外壳为SOT-227-4，器件采用管封装，器件具有830 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为460 nC，漏极-源极电阻Rds为5.2 mOhms，上升时间为125 ns，系列为IXFN240N15，技术为Si，商品名为HiPerFET，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为48ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
