9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT12N100F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT12N100F参考价格为9.51美元。IXYS IXFT12N100F封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268。您可以下载IXFT12N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR90N30是MOSFET 75安培300V 0.033 Rds，包括IXFR90N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为417 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为42ns，Qg栅极电荷为360nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFT10N100是MOSFET 10安培1000V 1.2 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT10N100系列，上升时间为33纳秒，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，Pd功耗为300瓦，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，下降时间为32 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT120N15P是MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于26 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流功能，例如120 a，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为600 W，漏极-源极电阻Rds为16 mOhms，上升时间为42 ns，系列为IXFT120N15，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFR9N80Q是MOSFET 9安培800V，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，系列设计用于IXFR9N60，以及9 a Id连续漏电流，该器件也可以用作800V Vds漏极-源极击穿电压。此外，单位重量为0.056438盎司。
