9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT6N100F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT6N100F参考价格$6.288。IXYS IXFT6N100F封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 6A TO268。您可以下载IXFT6N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT60N25Q是MOSFET 60安培250V 0.047 Rds，包括IXFT60N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-电源电阻为47mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强。
IXFT66N20Q是MOSFET 66安培200V，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT66N20系列，上升时间为18ns，Rds漏极源极电阻为40mOhm，Pd功耗为400W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为66 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT69N30P是MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于27 ns，提供Id连续漏极电流功能，如69 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500W，漏极-源极电阻Rds为49mOhms，上升时间为25ns，系列为IXFT69N30，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFT60N50P3是MOSFET N-CH 500V 60A TO268，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFT60N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以96nC Qg栅极电荷提供，该器件具有8ns的下降时间，正向跨导最小值为60S 35S，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Vgs栅-源极电压为30V，上升时间为16ns，Pd功耗为1040W，Rds漏极-源极电阻为100 mOhms，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司。
