9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX24N100F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX24N100F参考价格为5.884美元。IXYS IXFX24N100F封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3。您可以下载IXFX24N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX230N20T是MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247，包括GigaMOS？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，信道数为1信道，该设备在PLUS247中提供-3供应商设备包，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为1670W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为28000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为230A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7.5 mOhm@60A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为378nC@10V，Pd功耗为1.67kW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为230 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极源极电阻为7.5mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
IXFX24N100是MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX24N100系列，上升时间为35ns，漏极电阻Rds为390mOhms，Pd功耗为560W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为21 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX220N17T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET，包括220 A Id连续漏极电流，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计为6.3 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为HiPerFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为170 V。
IXFX240N15T2是由IXYS制造的栅极驱动器GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET。IXFX240N15T2在PLUS-47封装中提供，是PMIC-栅极驱动器的一部分，并支持栅极驱动器GigaMOS沟槽T2 HiperFET PWR MOSFET，N沟道150V 240A（Tc）1250W（Tc）通孔PLUS247-3，Trans MOSFET N-CH 150V 240A 3引脚（3+Tab）PLUS 247。
