9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFM35N30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFM35N30参考价格为17.762美元。IXYS IXFM35N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE。您可以下载IXFM35N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFL60N80P是MOSFET 42安培800V 0.15 Rds，包括IXFL60N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV ISOPLUS264 HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为250nC，正向跨导最小值为35S，并且信道模式是增强。
IXFL82N60P是MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.264555 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为28 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV ISOPLUS264 HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFL82N60，上升时间为23ns，漏极-源极电阻Rds为78mOhm，Qg栅极电荷为240nC，Pd功耗为625W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为82A，正向跨导最小值为50S，下降时间为24ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL70N60Q2是MOSFET 70 Amps 600V，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏极电流特性，如37 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极电阻Rds为92 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXFL70N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为26ns，单位重量为0.264555oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFL80N50Q2是MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFL80N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有66 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Id连续漏极电流为66 a，典型关断延迟时间为60 ns，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Pd功耗为380 W，Vgs栅极-源极电压为30 V，典型的开启延迟时间为29纳秒，上升时间为25纳秒，下降时间为11纳秒，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.264555盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
