9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFM42N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFM42N20参考价格为5.028美元。IXYS IXFM42N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 42A TO204AE。您可以下载IXFM42N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFL82N60P是MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds，包括IXFL82N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.264555 oz，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV ISOPLUS264 HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为82A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为78mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为240nC，正向跨导Min为50S，并且信道模式是增强。
IXFL70N60Q2是MOSFET 70安培600V，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.264555盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFL70N60系列，上升时间为25纳秒，Rds漏极源极电阻为92毫欧，Pd功耗为360 W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为37 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL80N50Q2是MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于11 ns，提供Id连续漏极电流功能，如66 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为380 W，漏极电阻Rds为66 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXFL80N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为29ns，单位重量为0.264555oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFM40N30是由IXYS制造的Trans MOSFET N-CH Si 300V 40A 3引脚（2+Tab）TO-204AE。IXFM40N30采用TO-3封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH Si 300V 40A 3引脚（2+Tab）TO-204AE。
