9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2AM832TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2AM832TA参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated ZXMN2AM832TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP。您可以下载ZXMN2AM832TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN2A14FTA是MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3，包括ZXMN2A1系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为544pF@10V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为3.4A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@3.4A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.5 ns，上升时间为5.3ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.1A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.6ns，典型导通延迟时间为4ns，沟道模式为增强型。
ZXMN2A14FTA/214，用户指南由30000ZETEX制造。ZXMN2A14FTA/214在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN2A14FTC，电路图由10ZETEX制造。ZXMN2A14FTC采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
