9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN3320ATOA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN3320ATOA参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated ZVN3320ATOA封装/规格：MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3。您可以下载ZVN3320ATOA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN3310FTA是MOSFET N-CH 100V.1A SOT23-3，包括ZVN3310系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为330mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为40pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为100mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为10 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.4V@1mA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
ZVN310ASTZ是MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如5 ns，典型的关闭延迟时间设计为6 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN310系列，该器件的上升时间为7ns，漏极电阻Rds为10欧姆，Pd功耗为625mW，封装为散装，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为200mA，下降时间为7ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVN310ASTZ-TAPE，带有ZETEX制造的电路图。ZVN310ASTZ-TAPE采用TO92封装，是IC芯片的一部分。
ZVN3310F，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZVN3310F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
