9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH14N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH14N100Q参考价格$7.106。IXYS IXFH14N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD。您可以下载IXFH14N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如IXFH14N100Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFH140N10P是MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds，包括IXFH140N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为155nC，正向跨导Min为45S，并且信道模式是增强。
IXFH13N80Q是MOSFET N-CH 800V 13A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH13N80系列，上升时间为36 ns，漏极电阻Rds为700 mOhms，Pd功耗为250 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH13N90是MOSFET N-CH 900V 13A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了18 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如13 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极电阻Rds为800 mOhms，上升时间为12 ns，系列为IXFH13N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为18ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
