9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH67N10Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH67N10Q参考价格$8.77。IXYS IXFH67N10Q封装/规格：MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD。您可以下载IXFH67N10Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH60N65X2带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.056438盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供HiPerFET等商品名功能，封装外壳设计用于to-247-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供780 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-源极电阻为52mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为107nC，正向跨导Min为29S，沟道模式为增强。
IXFH66N20Q是MOSFET 66安培200V 0.04 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH66N20系列，上升时间为18 ns，漏极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为400 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为66 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH67N10是MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了60 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如67 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为25 mOhms，上升时间为60 ns，系列为IXFH67N10，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH60N60，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH60N60采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
