9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFJ40N30Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFJ40N30Q参考价格为1.736美元。IXYS IXFJ40N30Q封装/规格：MOSFET N沟道300V 40A TO268。您可以下载IXFJ40N30Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括IXFH96N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为96A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFH9N80是MOSFET 9安培800V 0.9 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH9N80系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为900 mOhms，Pd功耗为180 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH9N80Q是MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供Id连续漏极电流特性，如9 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，漏极-源极电阻Rds为1.1欧姆，上升时间为20 ns，系列为IXFH9N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFJ13N50是MOSFET 13安培500V 0.4 Rds，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计用于Si以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFJ13 N50系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有76 ns的典型关断延迟时间，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为400 mOhm，下降时间为32 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Pd功耗为180 W，典型的导通延迟时间为18ns，Id连续漏电流为13A，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
