9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX32N48Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX32N48Q参考价格为1.228美元。IXYS IXFX32N48Q封装/规格：MOSFET N-CH PLUS247。您可以下载IXFX32N48Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX44N80P是MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247，包括IXFX44N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.04 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为198nC，正向跨导Min为27S，并且信道模式是增强。
IXFX44N60是MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247，包括4.5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.257500 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为40 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFX44N60，上升时间为50ns，漏极-源极电阻Rds为130mOhm，Qg栅极电荷为330nC，Pd功耗为560W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为44 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX44N80Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A，包括单一配置，它们设计为以44A Id连续漏电流运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1个通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该装置也可以用作1.25kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为185 nC，器件提供190 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有300 ns的上升时间，系列为IXFX44N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.056438 oz，Vds漏极源极击穿电压为800 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFX44N80，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFX44N80提供TO-3P封装，是FET的一部分-单。
