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HGT1S2N120CN是IGBT 1200V 13A 104W I2PAK，包括管封装，它们设计用于to-262-3长引线、I2PAK、to-262AA封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-252，以及104W最大功率，该器件还可以用作13A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有20A集流器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为2.4V@15V，2.6A，开关能量为96μJ（开），355μJ（关），栅极电荷为30nC，25°C时的Td为25ns/205ns，测试条件为960V，2.6A，51 Ohm，15V。
HGT1S3N60A4DS9A是IGBT 600V 17A 70W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.7V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、3A、50 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如6ns/73ns，开关能量设计用于37μJ（开）、25μJ（关）下工作，以及TO-263AB供应商设备包，该设备也可以用作29ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为70W，该设备采用管式封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为21nC，集电器脉冲Icm为40A，集电器Ic最大值为17A。
HGT1S3N60A4DS是INTERSIL制造的600V 17A 70W D2PAK IGBT。HGT1S3N60A4DS提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单个，并支持600V 17A 70W D2PAK。
HGT1S3N60B3DS，带有INTERSIL制造的EDA/CAD模型。HGT1S3N60B3DS采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
