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HGTP2N120CN是IGBT 1200V 13A 104W TO220AB，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-200AB，以及104W最大功率，该器件还可以用作13A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有20A集流器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为2.4V@15V，2.6A，开关能量为96μJ（开），355μJ（关），栅极电荷为30nC，25°C时的Td为25ns/205ns，测试条件为960V，2.6A，51 Ohm，15V。
HGTP3N60A4D是IGBT 600V 17A 70W TO220AB，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.7V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、3A、50 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如6ns/73ns，开关能量设计用于37μJ（开）、25μJ（关）、，以及TO-220AB供应商设备包，该设备也可以用作29ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为70W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为21nC，集电器脉冲Icm为40A，集电器Ic最大值为17A。
HGTP3N60A4是IGBT 600V 17A 70W TO220AB，包括17A集流器Ic Max，它们设计用于40A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于21nC的栅极电荷，该21nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为70W，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有37μJ（开）、25μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为6ns/73ns，测试条件为390V、3A、50 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.7V@15V、3A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
HGTP3N60A4、G3N60A4以及FSC制造的EDA/CAD模型。HGTP3N60A4、G3N60A4采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
