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HGT1S20N60C3S9A是IGBT 600V 45A 164W TO263AB，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装类型如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为164W，该设备具有45A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器脉冲Icm为300A，最大Vce Vge Ic为1.8V@15V，20A，开关能量为295μJ（开），500μJ（关），栅极电荷为91nC，25°C时的Td为28ns/151ns，测试条件为480V、20A、10 Ohm、15V，Pd功耗为164 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.4 V，25 C时的连续集电极电流为45 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为45A。
HGT1S20N60C3R，带有HARRIS制造的用户指南。HGT1S20N60C3R采用TO262封装，是IC芯片的一部分。
HGT1S20N60C3S是FSC制造的600V 45A 164W TO263AB IGBT。HGT1S20N60C3S可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单个，支持600V 45A 164W TO263AB。
