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HGT1S20N35G3VLS是IGBT 380V 20A 150W TO263AB，包括管封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于逻辑，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于TO263AB，以及150W最大功率，该器件还可以用作20A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器发射器击穿最大值为375V，该器件提供2.8V@5V，20A Vce on Max Vge Ic，该器件具有28.7nC的栅极电荷，25°C时的Td为-/15μs，测试条件为300V，10A，25欧姆，5V。
HGT1S20N36G3VL是IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA，包括395V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@5V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、10A、25 Ohm、5V，提供Td on off 25°C功能，如-/15μs，供应商设备包设计为在to-262AA下工作，除了150W最大功率外，该设备还可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型逻辑，栅极电荷为28.7nC，集流器Ic Max为37.7A。
HGT1S14N41G3VLSR4874，带有FAIRCHILD制造的电路图。HGT1S14N41G3VLSR4874采用SOT-263封装，是IC芯片的一部分。
